OPB706A Phototransistor NPN Capteur Réflectif 935nm

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OPB706A
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Le OPB706A consiste d’un DEL infrarouge et d’un phototransistor NPN silicon monté “cote--à-cote” sur axes parallèles dans un boitier plastique noir.  Le Phototransistor réagit à la lumière de l’émetteur lorsqu’un objet réflectif passe dans son champ de vision.  

Caractéristiques

Distance de reflet: 0.05” (1.27mm)

Dissipation de puissance: 75mW
Tension collecteur-émetteur: 24V
Tension Emetteur-collecteur: 5V
Courant DC direct: 50mA
Pin 1      Collecteur
Pin 2      Emetteur
Pin 3      Anode
Pin 4      Cathode

Soudure: flux colophane RMA est recommandé.

Avis destiné aux résidents de Californie uniquement: Warning symbolWARNING: Cancer and Reproductive Harm - www.P65Warnings.ca.gov