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Transistor bipolaire plan épitaxial de puissance élevée NPN

Prix:
US$4.19
2SD1047
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2SD1047 Transistor bipolaire plan épitaxial de puissance élevée NPN

vendus séparément

Le dispositif est un transistor NPN fabriqué à l'aide de la nouvelle technologie BiT-LA. Le transistor résultant présente un bon comportement de linéarité de gain.

Caractéristiques:

DATASHEET (2sd1047_datasheet.pdf, 185 Kb) [Télécharger]

Avis destiné aux résidents de Californie uniquement: Warning symbolWARNING: Cancer and Reproductive Harm - www.P65Warnings.ca.gov