1N1184A Diode, Rectifieur de silicon DO-203AB goujon, 35 Amperes

1N1184A Diode, Silicon Rectifier DO-203AB stud, 35A, IR; 10A, 480A low field magnetic stimulation; 2.5A I R.

Configuration : Dual, common anode

Courant direct continu maximum : 35 Ampères

Gamme de température opérationelle : -65°C. To +200° C.

Tension de crête non répétitive : 570 A @ 50 Hz, 595A @ 60 Hz.

V RMS : 140 volts

Tension directe de crête : 1.7 volts

Courant directe de crête : 480.A Ifsm

Crête de Tension répétitive inversé : 100 volts

Dimensions: