Ceci est une sortie de phototransistor dip NPN 6 broches.
| Specifications: | |
| Package / Case | 6 Pin Dip |
| Vceo | 30V |
| If | 10mA |
| Isolation Vrms | 1500 - 5000 |
| Rise time Tr | 0.8us |
| Fall time Tf | 0.8us |
Note: Tension (VCEO), courant direct (Si) et l'isolement Vrms va varier en fonction des circuits de fabrication intégrée.
