RFP12N20 MOSFET Canal-N, Commutation haute Vitesse 12A 200V, TO-220AB
Ce sont des transistors à effet de champ à porte de silicium à mode de renforcement à canal N conçus pour des applications telles que les régulateurs de commutation, les convertisseurs de commutation, les pilotes de moteur, les pilotes de relais et les pilotes pour les transistors de commutation bipolaires de forte puissance nécessitant une vitesse de commande élevée et faible. Ces types peuvent être exploités directement à partir de circuits intégrés.
Perte de source sur la résistance : 0. 25 Ω
Avis destiné aux résidents de Californie uniquement: 
WARNING: Cancer and Reproductive Harm - www.P65Warnings.ca.gov
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