2SD1047 Transistor bipolaire plan épitaxial de puissance élevée NPN
vendus séparément
Le dispositif est un transistor NPN fabriqué à l'aide de la nouvelle technologie BiT-LA. Le transistor résultant présente un bon comportement de linéarité de gain.
Caractéristiques:
Avis destiné aux résidents de Californie uniquement:
WARNING: Cancer and Reproductive Harm - www.P65Warnings.ca.gov
